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AL2O3+GaN薄膜
- 关键字：
- P型掺Mg， R：3-5Ω-cm
- 产品概述：
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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Al2O3+GaN外延薄膜（Mg-doped P-type GaN Epitaxial Template on sapphire）
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| 技术参数
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Al2O3参数： | c-Axis (0001) off angle 0.2O±0.1 @ M-plane，dia50.8 mm ± 0.25 mm,单抛 | GaN厚度： | 3.0 um +/- 10% | 电阻率： | 3- 5 Ω-cm | 载流子浓度： | 1x10^17 ~3x10^18/cm3 | 空穴迁移率： | 20cm-2/V | RMS： | <1nm | FWHM of RC for(002)： | ~~350 arcsec | FWHM of RC for(102)： | ~~450 arcse |
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| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋真空包装和单片盒装 |
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