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Al2O3+GaN薄膜
- 关键字：
- 国产
- 产品概述：
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
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Al2O3+GaN薄膜 （国产） |
| 产品简介
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| 技术参数
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掺杂类型： | N type | 半绝缘型 | P type | 产品定位边： | C轴 | 常规尺寸： | dia2" | dia2" | dia2" | 厚度： | 15um,20um,30um,40um | 30um,90um | 4um, 5um | 电阻（300K)： | <0.05Ω.cm | >106 Ω.cm | <0.05Ω.cm | 位错密度： | <1x108 cm-2 | <1x108 cm-2 | <1x108 cm-2 | 衬底结构： | GaN on Sapphire | GaN on Sapphire | GaN on Sapphire | 有效面积： | >90% | >90% | >90% | 抛光： | 单抛或者双抛 | 单抛或者双抛 | 单抛或者双抛 |
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| 产品规格
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常规规格：dia2 |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋或单片盒包装 |
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