- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
Al2O3+AlN薄膜
- 产品概述：
- AlN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
|
氮化铝(AlN)薄膜 |
| 产品简介
|
AlN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！
|
| 技术参数
|
蓝宝石衬底取向： | c轴（0001)±1.0deg | 衬底： | Al2O3;SiC;GaN； | 薄膜厚度： | 10-5000nm | 导电类型： | 半绝缘型 | 位错密度： | XRD FWHM of <0002><500arcsec； XRD FWHM of <10-12><1500arcsec; | 有效面积： | >80% |
|
| 产品规格
|
氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2"±1mm x1500nm±10%，单抛； 注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。
|
| 标准包装
|
1000级超净室100级超净袋 |
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
查看诚信档案
皖公网安备 34012302000974号
